上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，始終致力于核心工藝技術(shù)的創(chuàng)新與突破，持續(xù)迭代升級IGBT和MOSFET技術(shù)平臺，通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化的制造工藝和先進(jìn)的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境下的高效率運(yùn)行和長期穩(wěn)定需求，為客戶提供更具競爭力的系統(tǒng)級解決方案。以下是上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹：

650V 系列 IGBT 產(chǎn)品：

• 10A~75A系列

  • 基于貝嶺第6代Trench FS IGBT工藝平臺，采用3μm pitch微溝槽工藝。
  • 正面通過精密調(diào)控 “Gate溝槽 + dummy溝槽” 比例，背面應(yīng)用優(yōu)化的H FS工藝，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的 Vcesat-Eoff 折衷性能 與強(qiáng)大的短路能力。
  • 終端采用優(yōu)化的“FLR+場板技術(shù)”，確保最高工作結(jié)溫175℃ 下的可靠性，并通過 HV-H3TRB 加嚴(yán)測試。

• 80A~200A系列

  • 升級至第7代Trench FS IGBT工藝平臺，采用更精細(xì)的 1.6μm pitch微溝槽工藝。
  • 正面通過優(yōu)化 “Gate溝槽 + E短接溝槽 + dummy溝槽” 三種溝槽設(shè)計(jì)比例，結(jié)合優(yōu)化的H FS工藝，實(shí)現(xiàn)足夠低的Vcesat、良好的開關(guān)損耗及滿足電機(jī)驅(qū)動需求的短路能力。
  • 終端采用優(yōu)化的“VLD技術(shù)”，提升芯片利用率的同時，保障175℃結(jié)溫工作能力及通過 HV-H3TRB 可靠性驗(yàn)證。

40V SGT MOS 產(chǎn)品：

• 基于最新的低壓SGT工藝平臺，采用紅磷襯底及 HDP（高密度等離子體）工藝。紅磷襯底電阻率顯著低于傳統(tǒng)材料，HDP工藝實(shí)現(xiàn)高密度元胞，有效降低溝道電阻與整體導(dǎo)通電阻(Rdson)。
• 高密度設(shè)計(jì)下晶圓仍可安全減?。ǚ莟aiko），進(jìn)一步降低襯底電阻。

• 封裝 (PDFN5*6)

  • 常規(guī)鋁帶鍵合：封裝電阻優(yōu)于鋁絲，成本效益高。
  • 銅片Clip Bonding：大幅降低封裝電阻，提升過流能力。

80~150V SGT MOS 產(chǎn)品：

• 基于最新的中高壓SGT工藝平臺，采用雙層外延(EPI) 設(shè)計(jì)優(yōu)化電場分布，在保持擊穿電壓(BV) 的同時降低導(dǎo)通電阻(Rdson)。

• 80~100V系列

  • 精密工藝實(shí)現(xiàn)高密度元胞與晶圓減薄（非taiko），降低襯底電阻。

• 150V系列

  • 應(yīng)用 HDP工藝 實(shí)現(xiàn)高密度元胞，有效降低溝道電阻與柵電荷(Qg)。

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