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國產(chǎn)MOS管：長晶科技2N7002與2N7002K MOSFET參數(shù)對比及選型建議
2N7002與2N7002K均為國產(chǎn)知名品牌長晶科技生產(chǎn)的N通道MOSFET，采用SOT-23封裝形式，具有體積小、散熱性能良好等特點，適用于多種便攜式設(shè)備及電源轉(zhuǎn)換電路中。它們均具備高密度單元設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)較低的導通電阻（RDS(on)），同時具有較高的飽和電流能力與可靠性，可作為電壓控制的小信號開關(guān)使用。2025-04-08 -
光頡Viking薄膜精密片式電阻器（AR 系列）選型資料- Viking代理商南山電子
南山電子代理的光頡Viking薄膜精密片式電阻器（AR 系列），尺寸從 0201 到 2512，公差小至 0.01%，低 TCR 0.1%，1ppm-50 ppm，1-3Mohm 電阻范圍適用于關(guān)鍵產(chǎn)品設(shè)計。高功率、高可靠性、高穩(wěn)定性、高精度電阻。薄膜芯片電阻是大多數(shù)電子領(lǐng)域的理想選擇。先進的薄膜技術(shù)，適用于高功率、超高功率、防腐蝕、防硫、汽車、AEC-Q200 認證。2025-04-07 -
長晶科技與UTC的2N7000 N溝道MOSFET參數(shù)異同及選用指南
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為核心功率開關(guān)器件，其性能優(yōu)劣直接影響電路效率、可靠性及整體成本。2N7000作為經(jīng)典的小功率N溝道MOSFET，憑借其低導通電阻、快速開關(guān)特性及緊湊封裝，被廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備電源管理、電機控制、信號切換等領(lǐng)域。本文參考官方的規(guī)格書，對比了友順（UTC）和長晶科技（JSCJ）生產(chǎn)的2N7000 MOSFET的參數(shù)異同，并提供選用建議。2025-04-03 -
長晶科技CJ431與CJ431K電壓基準芯片異同點分析與選用建議
CJ431 和 CJ431K 均為長晶科技推出的三端可調(diào)分流穩(wěn)壓器，廣泛應(yīng)用于需要精確電壓基準的電路中，如電源穩(wěn)壓、電壓比較器基準源等。兩者在封裝形式、管腳排列、基本功能等方面存在諸多相似之處。以下長晶科技CJ431 與 CJ431K 電壓基準芯片異同點分析與選用建議：2025-04-02 -
風華抗浪涌貼片電阻RAG-06K101JT與通用貼片電阻RS-06K101JT對比與選型
風華（FH）作為國內(nèi)電子元件領(lǐng)域的知名品牌，其貼片電阻產(chǎn)品以高可靠性和多樣化應(yīng)用著稱。本文針對風華旗下的抗浪涌貼片電阻RAG-06K101JT和通用貼片電阻RS-06K101JT展開對比，分析兩者在性能、結(jié)構(gòu)及應(yīng)用場景上的異同，為工程師選型提供參考。2025-04-01 -
國巨CC0402KRX7R6BB104與基美C0402C104K8RACTU電容器對比分析
在表面貼裝多層陶瓷電容器（MLCC）領(lǐng)域，0402封裝因其小型化和高密度貼裝特性，成為消費電子、通信設(shè)備及汽車電子等領(lǐng)域的核心元件。然而，不同品牌的同規(guī)格電容在性能、可靠性和成本上可能存在差異。國巨（Yageo）和其子公司基美（KEMET）作為全球知名的電子元件制造商，其生產(chǎn)的MLCC產(chǎn)品在市場上占據(jù)重要地位。本文將對國巨CC0402KRX7R6BB104和基美C0402C104K8RACTU兩款電容器進行對比分析，為工程師和采購決策提供參考。2025-03-28 -
國巨君耀ESD靜電保護期間LBD52A24L01和LBT23C24L02的異同與選型建議
2025-03-27 -
君耀SMBJ15CA tvs瞬態(tài)二極管選型資料/現(xiàn)貨價格/免費樣品-國巨君耀代理商
SMBJ15CA是國巨旗下品牌君耀電子（BrightKing）推出的表面貼裝型tvs瞬態(tài)二極管，專為優(yōu)化電路板空間而設(shè)計。它采用低輪廓封裝，內(nèi)置應(yīng)變緩解裝置，具備玻璃鈍化結(jié)，能夠有效降低電感并提供出色的鉗制能力。君耀SMBJ15CA tvs瞬態(tài)二極管能夠在10/1000μs波形下承受600W的峰值脈沖功率，重復率（占空比）為0.01%。其快速響應(yīng)時間和在10V以上典型反向漏電流小于1μA的特性，使其成為高效電路保護的可靠之選。2025-03-27 -
Yageo高壓柔性端頭電容CS1206JKNPOZBN472參數(shù)規(guī)格-選型手冊-免費樣品
國巨（Yageo）推出的CS1206JKNPOZBN472是一款高壓型柔性端頭電容，額定電壓630 VDC，能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，采用了柔性的連接端子，具有良好導電性能，有效提高了電容的機械穩(wěn)定性和抗振動能力。CS1206JKNPOZBN472電容憑借其出色的耐壓能力和穩(wěn)定的電氣性能，成為工程師在設(shè)計高壓電路時的優(yōu)先選擇。2025-03-26 -
NCEP039N10D：新潔能超級溝槽II代MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
在高效電源管理領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定了系統(tǒng)的能效與可靠性。新潔能（NCE）推出的NCEP039N10D：新潔能超級溝槽II代MOSFET，基于Super Trench II技術(shù)，以極低的導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（Qg）為核心優(yōu)勢，成為高頻開關(guān)和同步整流應(yīng)用的標桿級解決方案。其100V耐壓、135A高電流能力，以及優(yōu)化的封裝設(shè)計，尤其適合DC/DC轉(zhuǎn)換器等高效能場景。2025-03-25 -
SC1808JKNPOWBN220國巨安規(guī)電容器選型資料-YAGEO電容代理
國巨電子推出的SC1808JKNPOWBN220 是一款表面貼裝陶瓷多層電容，采用RoHS 合規(guī)且無鹵素的材料制造，符合環(huán)保要求。其封裝為1808 (4520)，尺寸為2.0mm x 1.25mm，屬于常見的小型化封裝，適用于各種緊湊型電子設(shè)備。這種尺寸的電容在安裝和布局上具有很高的靈活性，能夠有效節(jié)省電路板空間，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、輕薄化的設(shè)計趨勢。2025-03-24 -
國巨嵌入式MLCC電容：開啟電子設(shè)備小型化與高性能新時代
在5G通信、智能穿戴、車載電子等高密度集成領(lǐng)域，電路板空間壓縮與信號完整性需求正驅(qū)動元器件技術(shù)迭代。國巨（Yageo）推出的嵌入式MLCC（多層陶瓷電容器）系列，以0201/0402超微型封裝、極薄厚度及銅鍍層工藝，重新定義高可靠性電容的集成極限，為模塊化設(shè)計提供顛覆性解決方案。2025-03-20 -
新潔能NCE60ND45AG：高性能N溝道增強型功率MOSFET的卓越之選
在功率電子領(lǐng)域，提升能效與可靠性始終是設(shè)計者的核心訴求。新潔能（NCE）推出的NCE60ND45AG N溝道增強型功率MOSFET，憑借其創(chuàng)新的溝槽技術(shù)與優(yōu)化的器件設(shè)計，為高頻開關(guān)電源、工業(yè)設(shè)備及新能源系統(tǒng)提供了高效能的解決方案。成為眾多工程師在設(shè)計高性能電路時的首選。2025-03-19 -
NCE3008M新潔能增強型功率MOSFET：電池保護與開關(guān)應(yīng)用的理想選擇
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，MOS 管作為核心的功率半導體器件，其性能直接影響到電路的效率與穩(wěn)定性。新潔能（NCE）推出的NCE3008M增強型功率MOSFET，憑借其先進的溝槽技術(shù)、出色的導通電阻（RDS(ON)）、低柵極電荷以及低至 2.5V 的柵極電壓工作能力，成為眾多電池保護與開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。2025-03-14 -
超級溝槽功率MOSFET：NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料/樣品申請/現(xiàn)貨價格
NCEP3065QU是由新潔能（NCE）生產(chǎn)的高性能N溝道超級溝槽（Super Trench）功率MOSFET，采用先進的超溝槽技術(shù)，優(yōu)化了高頻開關(guān)性能，能夠有效降低導通和開關(guān)損耗。它適用于高頻開關(guān)和同步整流等應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、通信等領(lǐng)域。以下是超級溝槽功率MOSFET：NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料：2025-03-12 -
Yageo (國巨)高壓貼片電容CC1206JKNPOZBN332中文資料/樣品申請
CC1206JKNPOZBN332是Yageo (國巨)推出的一款的高壓貼片電容，采用1206封裝（3.2×1.6mm），NPO（C0G）電介質(zhì)材料，專為高穩(wěn)定性和高可靠性場景設(shè)計。該電容屬于國巨高壓電容系列，具有優(yōu)異的耐壓能力和溫度穩(wěn)定性，適用于高頻、高精度電路。其核心特性包括高額定電壓、低損耗、寬溫工作范圍以及符合環(huán)保標準。2025-03-11 -
新潔能高性能功率MOS管NCEP60T12AK，高頻高效、性能卓越
新潔能NCEP60T12AK 是一款基于超級溝槽技術(shù)優(yōu)化的雙場效應(yīng)管（MOSFET），由無錫新潔能（NCE）研發(fā)生產(chǎn)。該MOS管專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，通過極低的導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（Qg），顯著降低傳導和開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。新潔能高性能功率MOS管NCEP60T12AK，高頻高效、性能卓越，其獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計使其在高頻環(huán)境中表現(xiàn)出色，廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源和電力電子領(lǐng)域。2025-03-10 -
國巨CC1206JKNPOZBN272高壓貼片電容選型資料/免費樣品/最新報價
國巨CC1206JKNPOZBN272是一款專為高壓場景設(shè)計的貼片電容，采用多層陶瓷結(jié)構(gòu)（MLCC），封裝尺寸為1206（3.2mm×1.6mm），屬于NPO（C0G）溫度穩(wěn)定性材料系列。該電容結(jié)合了高壓電容的高耐壓特性和貼片電容的緊湊化優(yōu)勢，適用于需要高可靠性和穩(wěn)定性的電子電路設(shè)計，尤其在高壓濾波、諧振和能量存儲場景中表現(xiàn)卓越。2025-03-07 -
高性價比國產(chǎn)MOS管：NCE60P04Y新潔能P溝道MOSFET選型資料
NCE60P04Y是一款國產(chǎn)P溝道MOSFET，由無錫新潔能公司研發(fā)生產(chǎn)，專為低中功率開關(guān)電路設(shè)計。該MOS管采用先進的溝槽技術(shù)，具備高輸入阻抗、低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于需要高效電源管理和信號控制的場景。作為P溝道MOSFET，可以簡化柵極驅(qū)動，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，對于需要優(yōu)化系統(tǒng)能效和簡化驅(qū)動電路的設(shè)計，NCE60P04Y提供了高性價比的國產(chǎn)化解決方案。2025-03-06 -
國產(chǎn)新潔能MOSFET NCEP25N10AK：高頻開關(guān)和同步整流的理想選擇
隨著電子設(shè)備對高效能、高功率密度的需求日益增長，功率半導體器件的性能優(yōu)化成為技術(shù)突破的關(guān)鍵。國產(chǎn)品牌新潔能推出的N溝道SGT-II系列功率MOSFET NCEP25N10AK，憑借其超低導通電阻（RDS(on)）、超低柵極電荷（Qg）以及高頻開關(guān)特性，成為高頻開關(guān)和同步整流領(lǐng)域的理想選擇。2025-03-05
電子元器件整合供應(yīng)商
