上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品BLP038N15與BLP05N15

2025年1月，上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結構，使得器件具有極低的導通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結構，器件獲得優(yōu)良的開關性能，使得150V SGT系列產(chǎn)品具有極低的開關損耗。

上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應用于：

• 通信和數(shù)據(jù)中心服務器電源
• 叉車和輕型電動車電機驅動器
• 光伏儲能以及電池管理系統(tǒng) (BMS)
• 不間斷電源 (UPS)

器件優(yōu)勢：

1.超低導通電阻Rds(on)
貝嶺可提供國內業(yè)界極低導通電阻的150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。例如，BLP038N15的導通電阻典型值僅為2.9mΩ，相比于市場主流廠商同類低導通電阻產(chǎn)品，導通電阻降幅高達23%，可有效地降低功率器件在導通期間的損耗，顯著提升系統(tǒng)整機效率。貝嶺產(chǎn)品具有優(yōu)良的Rds(on) 一致性，適合大功率并聯(lián)場景。

2.低FOM 值
性能品質因數(shù)Figure of Merit （FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on) 為器件導通電阻，Qg為器件柵極總電荷），簡稱FOM值，是評估MOSFET綜合性能的一個重要指標。較低的導通電阻代表SGT MOSFET在導通狀態(tài)下具有更低的損耗和更高的效率。較低的柵極總電荷代表SGT MOSFET可以更快地在導通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。上海貝嶺BLP038N15在保證超低的導通電阻優(yōu)勢下，極力控制器件柵極總電荷，使得該器件FOM值相較國內廠商同電壓等級產(chǎn)品具有顯著優(yōu)勢。

3.器件封裝
為了滿足客戶在不同應用場景下的使用需求，上海貝嶺150V SGT產(chǎn)品在封裝選擇上，可以提供TO-220，TO-247為代表的插件安裝形式。與此同時，還提供以TOLL和TO-263-7代表的貼片安裝形式。對于高功率密度、電流密度設計，貝嶺推薦使用TOLL封裝的150V SGT 產(chǎn)品。TOLL封裝的典型占位面積為9.8mm * 11.73 mm與TO-263封裝相比，PCB面積可節(jié)省30%。TOLL封裝的外形高度僅為2.3 mm，占用的體積較TO-263減少60%，實現(xiàn)節(jié)省用戶PCB空間，使客戶產(chǎn)品更具成本優(yōu)勢。

貝嶺TOLL-8 封裝圖：

4.優(yōu)良的抗電流沖擊能力
貝嶺150V SGT產(chǎn)品具有高雪崩能力、低熱阻的特點，在電機應用中可以滿足電機短路大電流關斷的需求。

BLP038N15應用表現(xiàn)：

貝嶺針對大功率電機控制應用，基于貝嶺150V SGT產(chǎn)品, 設計20kW電機控制器驗證平臺，最高可支持96V電池應用，控制器實物如圖4左所示。貝嶺電機控制器驗證平臺采用疊層設計，上層為控制級，下層為功率級。功率級布局如圖4右所示，采用TO-263-7封裝，單相5管并聯(lián)。

貝嶺150V SGT 電機控制器驗證平臺(左) 功率板卡設計(右)：

單管100A下應用中開通波形(左) 關斷波形(右)：

貝嶺功率器件選型方案：

上海貝嶺功率器件150V產(chǎn)品線，歡迎垂詢！具體型號參考下表。對于多管并聯(lián)應用場景，可提供需求柵極閾值電壓Vth檔位篩選服務。

本文由上海貝嶺授權經(jīng)銷商南山電子轉載自上海貝嶺官方公眾號，轉載時內容略有修改。原文鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/5M1vLvoztqw1sfd7Z7vKBA。歡迎咨詢選購上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品，如需產(chǎn)品詳細的規(guī)格書或最新報價，請咨詢南山電子官網(wǎng)在線客服。