解決方案

新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負(fù)載開關(guān)的卓越功率器件

發(fā)布時(shí)間：2025-05-27 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：72

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，功率 MOSFET 是實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵元件。新潔能推出的增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借其優(yōu)質(zhì)性能，成為眾多工程師的理想選擇。今天就來了解下這款新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負(fù)載開關(guān)的卓越功率器件。

NCE30P12S 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷（Qg），同時(shí)支持低至 4.5V 的柵極電壓操作。這使得該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，特別適合 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)。

高耐壓與大電流處理能力

NCE30P12S 的漏源電壓（VDS）高達(dá) -30V，能夠承受高電壓沖擊。連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá) -12A，滿足高功率應(yīng)用需求。這使得 NCE30P12S 能夠在各種高功率場景中穩(wěn)定運(yùn)行，確保設(shè)備的可靠性和效率。

低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷

在 VGS=-4.5V 時(shí)，RDS(ON) 小于 21mΩ；在 VGS=-10V 時(shí)，RDS(ON) 小于 13mΩ。低導(dǎo)通電阻顯著降低了功耗，提高了系統(tǒng)的整體效率。同時(shí)，低柵極電荷（Qg）減少了開關(guān)損耗，確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)。

高功率處理能力

NCE30P12S 支持高功率和大電流處理，適用于高功率應(yīng)用。其高功率處理能力使其在 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)中表現(xiàn)出色，能夠滿足各種高功率需求。

無鉛封裝與表面貼裝

NCE30P12S 采用環(huán)保的無鉛封裝，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的環(huán)保要求。SOP-8 封裝形式適合表面貼裝工藝，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)減少了焊接過程中的復(fù)雜性。

應(yīng)用場景

NCE30P12S 廣泛應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)。在 PWM 應(yīng)用中，NCE30P12S 提供高效的功率轉(zhuǎn)換和控制，確保信號的快速、準(zhǔn)確傳輸。在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，NCE30P12S 提供穩(wěn)定的電流控制，確保負(fù)載的可靠切換。

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=-250μA	-30	-	-	V
零柵極電壓漏極電流	IDSS	VDS=-30V, VGS=0V	-	-	-1	μA
柵極-體漏漏電流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
柵極閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=-250μA	-2.2	-1.5	-1	V
漏源導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-10A	11.5	13	-	mΩ
漏源導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=-4.5V, ID=-7A	15	21	-	mΩ
前向跨導(dǎo)	gFS	VDS=-10V, ID=-10A	-	20	-	S
輸入電容	Clss	VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	2419	-	pF
輸出電容	Coss	-	318	-	-	pF
反向轉(zhuǎn)移電容	Crss	VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	262	-	pF
開啟延遲時(shí)間	td(on)	VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω	-	9	-	nS
開啟上升時(shí)間	tr	-	-	8	-	nS
關(guān)閉延遲時(shí)間	td(off)	-	-	28	-	nS
關(guān)閉下降時(shí)間	tf	-	-	10	-	nS
總柵極電荷	Qg	VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V	-	44.4	-	nC
柵極-源極電荷	Qgs	-	-	4.6	-	nC
柵極-漏極電荷	Qgd	-	-	10	-	nC
整流器正向電流	IS	VGS=0V, IS=-12A	-	-	-12	A
整流器正向電壓	VSD	VGS=0V, IS=-12A	-	-1.2	-	V

性能優(yōu)勢

NCE30P12S 的性能優(yōu)勢使其在各種應(yīng)用場景中都能提供卓越的性能。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)，而高功率處理能力則使其能夠滿足各種高功率需求。

新潔能 NCE30P12S P-Channel 增強(qiáng)型功率 MOSFET 憑借其卓越的性能和可靠性，成為 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)的理想選擇。無論是在 PWM 控制還是負(fù)載切換中，NCE30P12S 都能提供高效、穩(wěn)定和可靠的性能。選擇新潔能 NCE30P12S，開啟高效、穩(wěn)定和可靠的功率管理新時(shí)代。