解決方案

新潔能NCEP60T12AK--高頻開關(guān)與同步整流的理想之選

發(fā)布時間：2025-05-26 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：70

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，高頻開關(guān)和同步整流技術(shù)的應(yīng)用日益廣泛，對功率MOSFET的性能要求也越來越高。新潔能NCEP60T12AK--高頻開關(guān)與同步整流的理想之選，憑借其卓越的性能和可靠性，開啟高頻開關(guān)與同步整流的新篇章。

NCEP60T12AK采用先進的Super Trench技術(shù)，專為高頻開關(guān)和同步整流應(yīng)用設(shè)計。該器件通過優(yōu)化的單元設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷（Qg），從而在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

特性	描述
高耐壓	漏源電壓（VDS）高達(dá)60V，能夠承受高電壓沖擊
大電流	連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)120A，滿足高功率應(yīng)用需求
低導(dǎo)通電阻	在VGS=10V時，RDS(ON) < 4.0mΩ（典型值為3.5mΩ）；在VGS=4.5V時，RDS(ON) < 5.0mΩ（典型值為4.0mΩ）
低柵極電荷	總柵極電荷（Qg）低至67nC，顯著減少開關(guān)損耗
高工作溫度	工作結(jié)溫范圍為-55°C至175°C，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境
無鉛封裝	采用環(huán)保的無鉛封裝，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的環(huán)保要求
100% UIS測試	確保每個器件的可靠性

NCEP60T12AK的電氣特性如下表所示：

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=250μA	60	-	-	V
零柵極電壓漏極電流	IDSS	VDS=60V, VGS=0V	-	-	1	μA
柵極-體漏漏電流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
柵極閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=250μA	1.0	1.7	2.4	V
漏源導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=10V, ID=60A	-	3.5	4.0	mΩ
漏源導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=4.5V, ID=60A	-	4.0	5.0	mΩ
前向跨導(dǎo)	gFS	VDS=10V, ID=60A	40	-	-	S

NCEP60T12AK的動態(tài)特性如下表所示：

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電容	Clss	-	-	4000	-	pF
輸出電容	Coss	-	-	680	-	pF
反向轉(zhuǎn)移電容	Crss	VDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	23	-	pF
開啟延遲時間	td(on)	-	-	11	-	nS
開啟上升時間	tr	-	-	5	-	nS
關(guān)閉延遲時間	td(off)	-	-	56	-	nS
關(guān)閉下降時間	tf	VDD=30V, ID=60A, VGS=10V, RG=4.7Ω	-	12	-	nS
總柵極電荷	Qg	-	-	67	-	nC
柵極-源極電荷	Qgs	-	-	12	-	nC
柵極-漏極電荷	Qgd	VDS=30V, ID=60A, VGS=10V	-	8.5	-	nC