解決方案

新潔能NCE60P50K：高性能P溝道增強型功率MOSFET

發(fā)布時間：2025-05-24 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：87

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，功率MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，廣泛應用于各種電源管理、電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換場景。新潔能NCE60P50K ：高性能P溝道增強型功率MOSFET，憑借其卓越的性能和可靠性，成為高電流負載應用的理想選擇。

NCE60P50K是一款采用先進溝槽技術(shù)設(shè)計的P溝道增強型功率MOSFET。該器件通過優(yōu)化的單元設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷，從而在高電流負載應用中表現(xiàn)出色。其主要特點包括：

高耐壓：漏源電壓（VDS）高達-60V，能夠承受高電壓沖擊。

大電流：連續(xù)漏極電流（ID）可達-50A，滿足高功率應用需求。

低導通電阻：在VGS=-10V時，RDS(ON) < 28mΩ，顯著降低功耗。

高密度單元設(shè)計：實現(xiàn)超低RDS(ON)，提高器件效率。

全面的雪崩電壓和電流特性：確保在過載和短路情況下具有良好的穩(wěn)定性。

高能量吸收能力：單脈沖雪崩能量（EAS）高達722mJ，增強器件的魯棒性。

優(yōu)異的散熱性能：采用TO-252-2L封裝，有效提高散熱效率。

NCE60P50K適用于多種高電流負載應用，包括但不限于：

負載開關(guān)：在電源管理系統(tǒng)中，作為高效的負載開關(guān)，實現(xiàn)快速、穩(wěn)定的電流切換。

電機驅(qū)動：在電機控制應用中，提供高效率的功率轉(zhuǎn)換，降低能耗。

電源轉(zhuǎn)換：在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，作為功率開關(guān)，提高轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

電氣特性

NCE60P50K的電氣特性如下表所示

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=-250μA	-60	-	-	V
零柵極電壓漏極電流	IDSS	VDS=-60V, VGS=0V	-	-	-1	μA
柵極-體漏漏電流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
柵極閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=-250μA	-2.0	-2.6	-3.5	V
漏源導通電阻	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-20A	-	23	28	mΩ
前向跨導	gFS	VDS=-10V, ID=-20A	-	25	-	S

NCE60P50K的動態(tài)特性如下表所示

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電容	Clss	-	6460	-	-	pF
輸出電容	Coss	-	719	-	-	pF
反向轉(zhuǎn)移電容	Crss	VDS=-25V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	535	-	pF
開啟延遲時間	td(on)	-	15	-	-	nS
開啟上升時間	tr	-	17	-	-	nS
關(guān)閉延遲時間	td(off)	-	40	-	-	nS
關(guān)閉下降時間	tf	VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω	-	45	-	nS
總柵極電荷	Qg	-	75	-	-	nC
柵極-源極電荷	Qgs	-	16	-	-	nC
柵極-漏極電荷	Qgd	VDS=-30V, ID=-20A, VGS=-10V	-	19	-	nC