新潔能30-120V N溝道SGT-II系列功率MOSFET 產(chǎn)品介紹（第二代屏蔽柵溝槽NMOS管）

新潔能SGT-II系列功率MOSFET是一種基于屏蔽柵溝槽技術(shù)的中低壓功率MOSFET，相比于新潔能上一代SGT-I系列產(chǎn)品，SGT-II系列產(chǎn)品特征導通電阻Ron,sp 降低20%，F(xiàn)OM值進降低20%，為設計人員進一步提高系統(tǒng)效率提供了更優(yōu)的選擇。上篇文章 - 新潔能30-250V N溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品介紹中，闡述了關(guān)于新潔能上一代SGT-I系列產(chǎn)品，大家感興趣可以點擊瀏覽。今天我們來介紹新潔能SGT-II系列 - 新潔能30-120V N溝道SGT-II系列功率MOSFET 產(chǎn)品。

新潔能提供擊穿電壓等級范圍為30V至120V的N溝道SGT-II系列功率MOSFET產(chǎn)品具有超低的導通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點，結(jié)合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。同時，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應用，新潔能N溝道SGT-II系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化了大電流關(guān)斷能力與靜電防護能力。N溝道SGT-II系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝，為設計人員定制化提供更加豐富靈活的選擇。

注："SGT MOSFET"又稱“Super Trench MOSFET”。

產(chǎn)品特點:

• 超低導通電阻：SGT-II系列功率MOSFET具有超低的導通電阻（RDS(on)），這減少了能量損耗，提高系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。
• 超低柵極電荷：SGT-II系列功率MOSFET具有超低的柵極電荷（Qg），有助于提高開關(guān)速度和降低能量損耗。
• 大電流關(guān)斷能力強： SGT-II系列功率MOSFET具備大電流快速關(guān)斷的能力，可以在高電流條件下也能迅速關(guān)斷，從而保護電路。
• 靜電防護能力強：SGT-II系列功率MOSFET在靜電防護方面表現(xiàn)出色，能夠有效防止靜電擊穿。通常，MOSFET對靜電非常敏感，但通過在柵極和源極之間增加ESD保護器，可以提高其靜電防護能力。

產(chǎn)品應用:

• 直流電機驅(qū)動: SGT-II系列功率MOSFET作為開關(guān)器件，廣泛應用于電機驅(qū)動系統(tǒng)中。其結(jié)構(gòu)具有電荷耦合效應，能夠提高系統(tǒng)的效能和功率密度，特別是在低頻應用中表現(xiàn)優(yōu)異。這種特性使得SGT-II系列功率MOSFET非常適合用于直流電機驅(qū)動，它可以有效地控制電機的開關(guān)，從而提高電機的效率和響應速度。
• 鋰電池保護: 鋰電池保護通常涉及對電池電壓和電流的實時監(jiān)控，以防止過充、過放或短路等危險情況的發(fā)生。SGT-II系列功率MOSFET由于其超低導通電阻（RDS(ON)）和超低柵極電荷（Qg），在鋰電池保護電路中可以提供高效的保護功能。
• AC/DC同步整流: SGT-II系列功率MOSFET由于其優(yōu)異的導通特性和低導通電阻，非常適合用于AC/DC同步整流應用中，特別是在需要高效率和高功率密度的場景中。其顯著提高DC/DC變換器的效率，并且避免了由肖特基勢壘電壓造成的死區(qū)電壓問題。

新潔能30-120V N溝道SGT-II系列功率MOSFET產(chǎn)品能夠滿足多種不同應用領域的需求，其具體應用于電視、通信交換器和路由器、手持式電動工具、空氣凈化器、電池管理、控制器、啟停器、吸塵器、5G電源、轉(zhuǎn)換器、車載逆變器、電控、基站電源、醫(yī)療設備、掃地機器人等。

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