最新上架
更多- 國產(chǎn)MCU單片機中科芯CKS32F030R8T6可替代意法STM32F030C8T6
- 國巨薄膜精密電阻RT1206系列選型資料/應用分析/現(xiàn)貨采購/最新價格
- 薄膜精密電阻:國巨RT1210系列電阻規(guī)格參數(shù)/型號推薦/免費樣品申請
- 國產(chǎn)中科芯32位mcu CKS32F103C8T6中文資料/應用案例-替代STM32F103C8T6
- RT2010電阻:YAGEO國巨RT系列高精密薄膜電阻選型指南/應用方案/現(xiàn)貨推薦
- 國巨薄膜精密電阻RT0603系列:RT0603BRB07,RT0603BRC07,RT0603CRB07,RT0603CRD07,RT0603DRD07規(guī)格資料/現(xiàn)貨型號推薦
- 國巨YAGEO薄膜精密電阻RT0805系列介紹/現(xiàn)貨型號推薦/樣品申請
- YAGEO-國巨薄膜式精密貼片電阻RT2512系列中文資料/免費樣品/最新價格
- RE系列厚膜高精度低溫漂電阻全系列介紹_國巨厚膜式精密電阻代理_南山電子
- 進口32位MCU產(chǎn)品替代:中科芯CKS32F407ZGT6可完美替換STM32F407ZGT6
飛秒晶振在Broadcom博通PAM4調(diào)制光模塊中的應用
愛普生SG3225EEN/SG2520EGN 156.25MHz和SG2520EHN 164.425MHz是三款具有極低相位抖動的六腳多輸出差分晶振,基于石英晶體的壓電效應,通過正反饋機制迅速調(diào)整頻率,抖動上限小于50fs,使用在Broadcom(博通)高頻高速PAM4調(diào)制光模塊時,可以明顯提高高速光纖通信系統(tǒng)的傳輸速率和穩(wěn)定性。這三個飛秒晶振波形均為LV-PECL,電源電壓3.3V,待機電流≤60mA。對應產(chǎn)品編碼分別為X1G0052210008\X1G0058810001和X1G0059210003,具體參數(shù)請點擊下表PN編碼鏈接:
平臺 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品描述 | 下載 / 購買 |
Broadcom 博通 | X1G0052210008 | SG3225EEN 156.250000MHz CJGA | 立即購買 |
X1G0058810001 | SG2520EGN 156.250000MHz CJGPZA | 立即購買 | |
X1G0059210003 | SG2520EHN 164.425000MHz CCGPZA | 立即購買 |
PAM4(Pulse Amplitude Modulation 4-Level)調(diào)制光模塊是一種采用四電平脈沖幅度調(diào)制技術(shù)的光模塊,它通過使用四種不同的信號電平來表示數(shù)據(jù),從而在相同的符號周期內(nèi)傳輸兩比特的邏輯信息,相比傳統(tǒng)的NRZ(Non-Return-to-Zero)調(diào)制方式,PAM4的比特速率是NRZ的兩倍,顯著提高了傳輸效率。以下是PAM4調(diào)制光模塊的相關(guān)信息:
PAM4調(diào)制光模塊的工作原理
在PAM4調(diào)制光模塊中,通過激光器的功率來控制“0”和“1”的傳輸。每個符號周期可以表示2比特的邏輯信息,相比于NRZ的1比特,傳輸效率提高了一倍。
PAM4調(diào)制光模塊的應用場景
PAM4調(diào)制光模塊廣泛應用于5G移動承載網(wǎng)、城域固定網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)中心DCI或DCN等場景,支持50G、單波100G、400G(非ZR)光模塊,滿足高帶寬網(wǎng)絡的需求。
PAM4調(diào)制光模塊的優(yōu)勢
傳輸效率高:在相同的符號周期內(nèi),PAM4信號的比特速率是NRZ信號的兩倍,提高了傳輸效率。
建設成本低:PAM4技術(shù)能夠在滿足更高傳送效率的同時,使用更少且目前已成熟應用的光器件,大大降低了建設和研發(fā)成本。
PAM4調(diào)制光模塊的劣勢
傳輸距離短:由于PAM4信號更容易受到外界環(huán)境的干擾,較長的傳輸距離會導致更高的誤碼率。
設備熱量負擔大:PAM4調(diào)制技術(shù)可能會導致設備產(chǎn)生更多的熱量,需要有效的散熱解決方案。
PAM4調(diào)制光模塊以其高效的信號傳輸優(yōu)勢,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了技術(shù)支持,是未來光通信技術(shù)發(fā)展的重要方向。