新潔能國產(chǎn)MOS管與IGBT

新潔能主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術產(chǎn)品認定。公司是高新技術企業(yè)、中國半導體功率器件十強企業(yè)（中國半導體協(xié)會，2016&2017&2018年），擁有江蘇省功率器件工程研究中心、江蘇省研究生工作站，注重先進半導體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，多項研發(fā)成果在IEEE、ISPSD等國際期刊/國際會議上發(fā)表，并被SCI、EI索引。

南山電子-新潔能MOS管、IGBT原廠授權經(jīng)銷商：